vestichИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Chemical Series1561-83312524-2342The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestich-29Research ArticleФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯPHYSICAL CHEMISTRYТермовакуумно-напыленные пленки 1Н-индол-3К-(фенил)-альдонитрона - сухопроявляемый материал для лазерной микролитографииVacuum thermally deposited films of 1H-indole-3N-(phenyl)-aldonitrone as a dry-exposable material for laser microlithographyАзаркоВ. А.AzarkoV. A.noemail@neicon.ruМихайловскийЮ. К.MikhailovskiiYu. K.noemail@neicon.ruКалечицГ. В.KalechytsG. V.noemail@neicon.ruОбуховВ. Е.ObukhovV. E.noemail@neicon.ruИнститут химии новых материалов НАН БеларусиBelarusФизико-технический институт НАН БеларусиBelarus201408062016024547Copyright © Азарко В.А., Михайловский Ю.К., Калечиц Г.В., Обухов В.Е., 20162016Азарко В.А., Михайловский Ю.К., Калечиц Г.В., Обухов В.Е.Azarko V.A., Mikhailovskii Y.K., Kalechyts G.V., Obukhov V.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestichem.belnauka.by/jour/article/view/29

Экспериментально показано, что при вакуумном испарении 1Н-индол-3N-(фенил)-альдонитрона образуются высококачественные глянцевые пленки аморфного типа. При лазерном экспонировании (λ = 351 нм) полученных пленок образуется скрытое изображение маски, которое проявляется вакуумным излучением кварце-во-галогенных ламп КГМ-1. Пленки толщиной 1,3±0,2 мкм маскируют ионы фосфора и бора с энергией до 1 000 эВ (при дозах 0,10-0,12 мКл/см2) в кремниевой технологии получения БИС.

It was experimentally showed that high quality high-gloss films of amorphous type are formed at vacuum deposition of 1H-indole-3N-(phenyl)-aldonitrone. At laser exposure (λ = 351 nm) of films latent image of the mask is formed, which is manifested by vacuum radiation of quartz halogen lamp. The films with the thickness of 1,3±0,2 μm mask phosphorus and boron ions with the energy up to 1 000 eV (at implantation dozes 0,10-0,12 μK1/cm2) in silicon technology of obtaining of BIS.

ReferencesПлазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна: пер. с англ. М.: Мир, 1987. С. 469.Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна: пер. с англ. М.: Мир, 1987. С. 469.Михайловский Ю. К., Агабеков В. Е., Азарко В. А. // ЖПС. 1996. Т. 63. № 3. С. 436-443.Михайловский Ю. К., Агабеков В. Е., Азарко В. А. // ЖПС. 1996. Т. 63. № 3. С. 436-443.Азарко В. А., Агабеков В. Е.,Стригуцкий В. П., Михайловский Ю. К.,Калечиц Г. В., Шулицкий Б. Г. // Весцi НАН Беларусi Сер. хiм. навук. 2007. № 10. С. 57-60.Азарко В. А., Агабеков В. Е.,Стригуцкий В. П., Михайловский Ю. К.,Калечиц Г. В., Шулицкий Б. Г. // Весцi НАН Беларусi Сер. хiм. навук. 2007. № 10. С. 57-60.Cik G., Sersen F., Vodny S. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 1991. Vol. 60. P. 245-250.Cik G., Sersen F., Vodny S. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 1991. Vol. 60. P. 245-250.West P. R., Davis G. C. // J. Org. Chem. 1989. Vol. 54. N 21. P. 5173-5180.West P. R., Davis G. C. // J. Org. Chem. 1989. Vol. 54. N 21. P. 5173-5180.Гордон А., Форд Р. Спутник химика: пер. с англ. М.: Мир, 1978. С. 210.Гордон А., Форд Р. Спутник химика: пер. с англ. М.: Мир, 1978. С. 210.Tochitsky E. I., Obukhov V. E., Tochitsky Y. I., Reinhard Noepfl // Proceeding of the Joint International Congress and Exhibition «Electronics Goes Green 2004», Berlin, Germany, 2004. P. 803-806.Tochitsky E. I., Obukhov V. E., Tochitsky Y. I., Reinhard Noepfl // Proceeding of the Joint International Congress and Exhibition «Electronics Goes Green 2004», Berlin, Germany, 2004. P. 803-806.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.