vestichИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Chemical Series1561-83312524-2342The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestich-87Research ArticleНЕОРГАНИЧЕСКАЯ ХИМИЯINORGANIC CHEMISTRYЭлектропроводность и термо-ЭДС кобальтитов-галлатов LaCo1-xGaxO3Electrical conductivityand thermo-EMF of cobaltite gallates LaCo1-xGaxO3ЛубинскийН. Н.LubinskiN. N.noemail@neicon.ruШевченкоС. В.ShauchenkaS. V.noemail@neicon.ruБашкировЛ. А.BashkirauL. A.noemail@neicon.ruПетровГ. С.PetrovG. S.noemail@neicon.ruСлонскаяС. В.SlonskayaS. Kunoemail@neicon.ruКомандно-инженерный институт Министерства по чрезвычайным ситуациям Республики БеларусьBelarusБелорусский государственный технологический университетBelarusБелорусский государственный аграрный технический университетBelarus201508062016011218Copyright © Лубинский Н.Н., Шевченко С.В., Башкиров Л.А., Петров Г.С., Слонская С.В., 20162016Лубинский Н.Н., Шевченко С.В., Башкиров Л.А., Петров Г.С., Слонская С.В.Lubinski N.N., Shauchenka S.V., Bashkirau L.A., Petrov G.S., Slonskaya S.K.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestichem.belnauka.by/jour/article/view/87

Установлено, что в системе LaCo1-xGaxO3 увеличение степени замещения х ионов Co3+ в LaCoO3 ионами Ga3+ от 0 до 0,95 приводит к постепенному уменьшению удельной электропроводности (σ). При различных температурах для LaCo1-xGaxO3 по производнымd In σ/d(T-1) рассчитана энергия активации электропроводности (ЕА). Для кобальтитов-галлатов LaCo1-xGaxO3 с 0 ≤ х ≤ 0,5 температурные зависимости ЕА имеют максимум, которому отвечает температура (TEA,max) начала протекания фазового перехода полупроводник-металл. Показано, что коэффициент термо-ЭДС (S) для LaCo1-xGaxO3 при 0 ≤ х ≤ 0,3 при комнатной температуре имеет отрицательное значение. При увеличении температуры S возрастает, проходит через нуль при 435-530 K, достигает максимального значения при 500-650 K и затем уменьшается. Установлено, что для LaCo1-xGaxO3 с 0 ≤ х ≤ 0,5 температуры максимальных значений S и ЕА одинаковы.

It has been found that in LaCo1-xGaxO3 system increase of the substitution degree х from 0 to 0,95 leads to the gradual electrical conductivity (σ) decrease. Within 300-1050 K temperature range for samples LaCo1-xGaxO3 with х ≤ 0,5 there are three linear parts on the curve lnσ - Т-1, where electrical conductivity activation energies have been calculated for the low, intermediate and high temperature ranges. Electrical conductivity activation energy ( ЕА) for samples at different temperatures has been also estimated using derivativesd In σ/d(T-1). The EA temperature dependence for LaCo1-xGaxO3 at 0 ≤ х ≤ 0,5 passes through a maximum that indicates the temperature for beginning of semiconductor - metal phase transition (TEA,max). It has been shown that the thermo-EMF coefficient (S) for LaCo1-xGaxO3 (0,1 ≤ х ≤ 0,3) at room temperature is negative, increasing with temperature rising, going through zero at 435-530 K, reaching the maximum at 500-650 K and then dropping down. It has been established that the temperatures corresponding to the maximum S and ЕА values are identical.

ReferencesBhide V. G., Rajoria D. S., Rao Rama // Phys. Rev. 1972. Vol. 6, N 3. P. 1021-1032.Bhide V. G., Rajoria D. S., Rao Rama // Phys. Rev. 1972. Vol. 6, N 3. P. 1021-1032.Radaelli P. G., Cheong S.-W. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, N 6. P. 094408-1-094408-9.Radaelli P. G., Cheong S.-W. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, N 6. P. 094408-1-094408-9.Zobel C. et al. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, N 3. P. 020402-1-020402-3.Zobel C. et al. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, N 3. P. 020402-1-020402-3.Itoh M. et al. // Physica B. 1999. Vol. 259. P. 902-903.Itoh M. et al. // Physica B. 1999. Vol. 259. P. 902-903.Sun J. R., Li R. W., Shen B. G. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89, N 2. P. 1331-1335.Sun J. R., Li R. W., Shen B. G. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89, N 2. P. 1331-1335.Yamaguchi S., Okimoto Y., Tokura Y. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, N 16. P. R11022-R11025.Yamaguchi S., Okimoto Y., Tokura Y. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, N 16. P. R11022-R11025.Dordor P. et al. // Phys. Status Solidi. 1986. Vol. 93 A, N 1. P. 321-329.Dordor P. et al. // Phys. Status Solidi. 1986. Vol. 93 A, N 1. P. 321-329.He T., Chen J., Caevarese T. G. // Solid State Sci. 2006. N 8. Р. 467-469.He T., Chen J., Caevarese T. G. // Solid State Sci. 2006. N 8. Р. 467-469.Иоффе А. Ф. Физика полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1957.Иоффе А. Ф. Физика полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1957.Метфессель З., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972.Метфессель З., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972.Robert R. et al. // J. Solid State Chem. 2006. Vol. 179. P. 3893-3899.Robert R. et al. // J. Solid State Chem. 2006. Vol. 179. P. 3893-3899.Лубинский Н. Н., Башкиров Л. А., Шевченко С. В., Петров Г. С., Сушкевич А. В. // Свиридовские чтения: Сб. ст. / Под ред. Т. Н. Воробьевой и др. Минск: БГУ, 2008. Вып. 4. С. 78-85.Лубинский Н. Н., Башкиров Л. А., Шевченко С. В., Петров Г. С., Сушкевич А. В. // Свиридовские чтения: Сб. ст. / Под ред. Т. Н. Воробьевой и др. Минск: БГУ, 2008. Вып. 4. С. 78-85.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.