Vacuum thermally deposited films of 1H-indole-3N-(phenyl)-aldonitrone as a dry-exposable material for laser microlithography
Abstract
It was experimentally showed that high quality high-gloss films of amorphous type are formed at vacuum deposition of 1H-indole-3N-(phenyl)-aldonitrone. At laser exposure (λ = 351 nm) of films latent image of the mask is formed, which is manifested by vacuum radiation of quartz halogen lamp. The films with the thickness of 1,3±0,2 μm mask phosphorus and boron ions with the energy up to 1 000 eV (at implantation dozes 0,10-0,12 μK1/cm2) in silicon technology of obtaining of BIS.
About the Authors
V. A. Azarko
Институт химии новых материалов НАН Беларуси
Belarus
Belarus
Yu. K. Mikhailovskii
Институт химии новых материалов НАН Беларуси
Belarus
Belarus
G. V. Kalechyts
Институт химии новых материалов НАН Беларуси
Belarus
Belarus
V. E. Obukhov
Физико-технический институт НАН Беларуси
Belarus
Belarus
References
1. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна: пер. с англ. М.: Мир, 1987. С. 469.
2. Михайловский Ю. К., Агабеков В. Е., Азарко В. А. // ЖПС. 1996. Т. 63. № 3. С. 436-443.
3. Азарко В. А., Агабеков В. Е.,Стригуцкий В. П., Михайловский Ю. К.,Калечиц Г. В., Шулицкий Б. Г. // Весцi НАН Беларусi Сер. хiм. навук. 2007. № 10. С. 57-60.
4. Cik G., Sersen F., Vodny S. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 1991. Vol. 60. P. 245-250.
5. West P. R., Davis G. C. // J. Org. Chem. 1989. Vol. 54. N 21. P. 5173-5180.
6. Гордон А., Форд Р. Спутник химика: пер. с англ. М.: Мир, 1978. С. 210.
7. Tochitsky E. I., Obukhov V. E., Tochitsky Y. I., Reinhard Noepfl // Proceeding of the Joint International Congress and Exhibition «Electronics Goes Green 2004», Berlin, Germany, 2004. P. 803-806.
Review
Views: 325
Email this article 