Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наук

Расширенный поиск

Электропроводность и термо-ЭДС кобальтитов-галлатов LaCo1-xGaxO3

Аннотация

Установлено, что в системе LaCo1-xGaxO3 увеличение степени замещения х ионов Co3+ в LaCoO3 ионами Ga3+ от 0 до 0,95 приводит к постепенному уменьшению удельной электропроводности (σ). При различных температурах для LaCo1-xGaxO3 по производнымd In σ/d(T-1) рассчитана энергия активации электропроводности (ЕА). Для кобальтитов-галлатов LaCo1-xGaxO3 с 0 ≤ х ≤ 0,5 температурные зависимости ЕА имеют максимум, которому отвечает температура (TEA,max) начала протекания фазового перехода полупроводник-металл. Показано, что коэффициент термо-ЭДС (S) для LaCo1-xGaxO3 при 0 ≤ х ≤ 0,3 при комнатной температуре имеет отрицательное значение. При увеличении температуры S возрастает, проходит через нуль при 435-530 K, достигает максимального значения при 500-650 K и затем уменьшается. Установлено, что для LaCo1-xGaxO3 с 0 ≤ х ≤ 0,5 температуры максимальных значений S и ЕА одинаковы.

Об авторах

Н. Н. Лубинский
Командно-инженерный институт Министерства по чрезвычайным ситуациям Республики Беларусь
Беларусь


С. В. Шевченко
Белорусский государственный технологический университет
Беларусь


Л. А. Башкиров
Белорусский государственный технологический университет
Беларусь


Г. С. Петров
Белорусский государственный технологический университет
Беларусь


С. В. Слонская
Белорусский государственный аграрный технический университет
Беларусь


Список литературы

1. Bhide V. G., Rajoria D. S., Rao Rama // Phys. Rev. 1972. Vol. 6, N 3. P. 1021-1032.

2. Radaelli P. G., Cheong S.-W. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, N 6. P. 094408-1-094408-9.

3. Zobel C. et al. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, N 3. P. 020402-1-020402-3.

4. Itoh M. et al. // Physica B. 1999. Vol. 259. P. 902-903.

5. Sun J. R., Li R. W., Shen B. G. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89, N 2. P. 1331-1335.

6. Yamaguchi S., Okimoto Y., Tokura Y. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, N 16. P. R11022-R11025.

7. Dordor P. et al. // Phys. Status Solidi. 1986. Vol. 93 A, N 1. P. 321-329.

8. He T., Chen J., Caevarese T. G. // Solid State Sci. 2006. N 8. Р. 467-469.

9. Иоффе А. Ф. Физика полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1957.

10. Метфессель З., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972.

11. Robert R. et al. // J. Solid State Chem. 2006. Vol. 179. P. 3893-3899.

12. Лубинский Н. Н., Башкиров Л. А., Шевченко С. В., Петров Г. С., Сушкевич А. В. // Свиридовские чтения: Сб. ст. / Под ред. Т. Н. Воробьевой и др. Минск: БГУ, 2008. Вып. 4. С. 78-85.


Рецензия

Просмотров: 305


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-8331 (Print)
ISSN 2524-2342 (Online)